Samsung SSD 990 EVO 1TB NVMe a 5000MB/s PCIe 4.0 M.2 2280

Samsung SSD 990 EVO 1TB NVMe a 5000MB/s PCIe 4.0 M.2 2280

P/N: MZ-V9E1T0BW | EAN: 8806095300276

de Samsung

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Velocidad para ir siempre por delante
990 EVO ofrece unas velocidades de lectura y escritura mejoradas de hasta 5.000/4.200 MB/s y velocidades aleatorias de lectura y escritura de hasta 700 K/800 K IOPS, llegando a ser hasta un 43 % más rápido que 970 EVO Plus 2TB. Deja de esperar a que carguen tus juegos y accede a archivos grandes al instante.

Eficiencia energética mejorada
Enciéndelo y hazlo todo. Con una notable mejora de la eficiencia energética del 70 % en comparación con el modelo anterior, puedes utilizarlo por más tiempo sin preocuparte por la batería. Además, es compatible con Modern Standby, que te permite conectarte a internet y seguir recibiendo notificaciones incluso en modo de bajo consumo.

Solución inteligente contra el calor
El disipador de calor de 990 EVO ayuda a controlar la temperatura del chip NAND. El innovador algoritmo de control de temperatura de Samsung trabaja junto a Dynamic Thermal Guard para asegurar un rendimiento consistente y fiable. Mantén tu productividad al rojo vivo, no tus dispositivos.

Versátil para hacerlo todo
Haz todas tus tareas con un único SSD. Aumenta tu rendimiento y cumple con todos tus objetivos de juego, trabajo y creatividad. Es compatible con las últimas interfaces PCIe® 4.0 x4 y PCIe® 5.0 x2, por lo que te ofrece flexibilidad para todo lo que puedes (y podrás) hacer. Mantente a la cabeza con este dispositivo todoterreno.

Software Samsung Magician
Tu SSD funciona como por arte de magia. Las herramientas de optimización del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento SSD. Es una forma fácil y segura de transferir todos tus datos para conseguir una mejora de SSD Samsung. Protege tu información valiosa, controla la salud del dispositivo y obtén las últimas actualizaciones de firmware.

La innovación cobra vida
Desde hace décadas, las memorias flash NAND de Samsung han incorporado tecnologías rompedoras capaces de cambiar tu día a día. Esta tecnología flash NAND también está presente en nuestros dispositivos SSDs para adentrarlos en la próxima era de la innovación.

Rendimiento
Consigue una mayor velocidad de lectura secuencial de hasta 5.000 MB/s, un 43 % más rápida que la del modelo anterior.

Eficiencia energética
Eficiencia energética mejorada en un 70 % en comparación con el modelo anterior, compatibilidad con Modern Standby y batería más duradera.

Versatilidad
Aumenta tu rendimiento gaming, profesional y creativo cada día con la compatibilidad PCIe® 4.0 x4 y PCIe® 5.0 x2.

Samsung 990 EVO. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 5000 MB/s, Velocidad de escritura: 4200 MB/s, Componente para: Universal

SDD, capacidad: 1 TB
Factor de forma de disco SSD: M.2
Interfaz: PCI Express 4.0
NVMe: Si
Tipo de memoria: V-NAND TLC
Componente para: Universal
Encriptación de hardware: Si
Versión NVMe: 2.0
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura: 5000 MB/s
Velocidad de escritura: 4200 MB/s
Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
Revisión PCI Express CEM: 4.0
Soporte S.M.A.R.T.: Si
Soporte TRIM: Si
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
calificación TBW: 600
Voltaje de operación: 3,3 V
Consumo de energía (lectura): 4,9 W
Consumo de energía (escritura): 4,5 W
Consumo energético (en suspensión): 0,005 W
Consumo de energía (espera): 0,06 W
Ancho: 80,2 mm
Profundidad: 22,1 mm
Altura: 2,38 mm
Peso: 9 g
Tipo de embalaje: Caja
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje: -40 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento: 5 - 95%
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje: 5 - 95%
Vibración no operativa: 20 G
Golpe (fuera de operación): 1500 G
Periodo de garantía: 5 año(s)

P/N: MZ-V9E1T0BW

En stock en nuestro almacén: 9 Productos

Detalles del producto

Voltaje de operación: 3,3 V
Vibración no operativa: 20 G
Version PCIE: PCIe 5.0
Versión NVMe: 2.0
Velocidad de lectura: 5000 MB/s
Velocidad de escritura: 4200 MB/s
Tipo de Memoria: V-NAND TLC
Tipo de embalaje: Caja
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
Soporte TRIM: Si
Soporte S.M.A.R.T.: Si
SDD, capacidad: 1 TB
Revisión PCI Express CEM: 4.0
Profundidad: 22,1 mm
Producto clasificado por el fabricante: Unidades internas de estado sólido
Peso: 9 g
Periodo de garantía: 5 año(s)
NVMe: Si
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje: -40 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento: 5 - 95%
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje: 5 - 95%
Interfaz: PCI Express 4.0
Golpe (fuera de operación): 1500 G
Factor de forma de disco SSD: M.2
Encriptación de hardware: Si
Consumo energético (en suspensión): 0,005 W
Consumo de energía (lectura): 4,9 W
Consumo de energía (espera): 0,06 W
Consumo de energía (escritura): 4,5 W
Conexion Disco: M.2 NVMe PCIe
Componente para: Universal
Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
calificación TBW: 600
Ancho: 80,2 mm
Altura: 2,38 mm
Almacenamiento: 1 TB SSD
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES

ean13: 8806095300276

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