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Memoria RAM Kingston ValueRAM 8GB/ DDR3L/ 1600MHz/ 1.35V/ CL11/ SODIMM

KVR16LS11/8 | 0740617219791

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Kingston Technology ValueRAM KVR16LS11/8, 8 GB, 1 x 8 GB, DDR3L, 1600 MHz, 204-pin SO-DIMM

Kingston Technology es el mayor fabricante independiente de memoria del mundo y cuenta con una excelente reputación por la calidad de sus productos y sus precios competitivos. Su memoria ValueRAM constituye un estándar en el sector y le ayudará a potenciar al máximo el rendimiento y la productividad de su sistema. Además, los módulos de memoria ValueRAM de Kingston Technology están fabricados con componentes de primer nivel (Grade A) y tienen garantía de por vida.

Kingston Technology ValueRAM KVR16LS11/8. Componente para: Portátil, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR3L, Velocidad de memoria del reloj: 1600 MHz, Forma de factor de memoria: 204-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 11
Memoria interna
8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 8 GB
Tipo de memoria interna
DDR3L
Velocidad de memoria del reloj
1600 MHz
Componente para
Portátil
Forma de factor de memoria
204-pin SO-DIMM
ECC
No
Tipo de memoria con búfer
Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS
11
Ancho de datos
64 bit
Voltaje de memoria
1.35,1.5 V
Configuración de módulos
1G X 64
Tiempo de ciclo de fila
48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila
260 ns
Tiempo activo en fila
35 ns
País de origen
Taiwán
Placa de plomo
Oro
Intervalo de temperatura operativa
0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
-55 - 100 °C
Ancho
67,6 mm
Altura
30 mm
Código de Sistema de Armomización (SA)
84733020
Organización de los chips
X8
Velocidad del reloj de bus
1600 MHz
Indicación de error
No
Disposición de memoria
1 x 8192 MB
Memoria interna
8192 MB
Kingston
KVR16LS11/8
25 Productos

Detalles del producto

Voltaje de memoria
1.35,1.5 V
Voltaje
1.35 V
Velocidad del reloj de bus
1600 MHz
Velocidad de memoria del reloj
1600 MHz
Velocidad
1600 Mhz
Tipo de memoria interna
DDR3L
Tipo de memoria con búfer
Unregistered (unbuffered)
Tipo de Memoria
Memoria DDR3
Tiempo de ciclo de fila
48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila
260 ns
Tiempo activo en fila
35 ns
Producto clasificado por el fabricante
Módulos de memoria
Placa de plomo
Oro
País de origen
Taiwán
Organización de los chips
X8
Memoría RAM
8 GB RAM
Latencia CAS
CL11
Intervalo de temperatura operativa
0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
-55 - 100 °C
Indicación de error
No
Formato Memoria
SODIMM
Forma de factor de memoria
204-pin SO-DIMM
ECC
No
Disposición de memoria
1 x 8192 MB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 8 GB
Configuración de módulos
1G X 64
Componente para
Portátil
Código de Sistema de Armomización (SA)
84733020
Cantidad
1
Ancho de datos
64 bit
Ancho
67,6 mm
Altura
30 mm
Memoria interna
8 GB

EAN

ean13
0740617219791
Nuevo
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