Memoria RAM Kingston ValueRAM 4GB/ DDR3/ 1600MHz/ 1.5V/ CL11/ SODIMM

P/N: KVR16S11S8/4 | EAN: 0740617207781

de Kingston

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Kingston Technology es el mayor fabricante independiente de memoria del mundo y cuenta con una excelente reputación por la calidad de sus productos y sus precios competitivos. Su memoria ValueRAM constituye un estándar en el sector y le ayudará a potenciar al máximo el rendimiento y la productividad de su sistema. Además, los módulos de memoria ValueRAM de Kingston Technology están fabricados con componentes de primer nivel (Grade A) y tienen garantía de por vida.

Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600. Componente para: Portátil, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR3, Velocidad de memoria del reloj: 1600 MHz, Forma de factor de memoria: 204-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 11

Memoria interna: 4 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
Tipo de memoria interna: DDR3
Velocidad de memoria del reloj: 1600 MHz
Componente para: Portátil
Forma de factor de memoria: 204-pin SO-DIMM
ECC: No
Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS: 11
Ancho de datos: 64 bit
Clasificación de memoria: 1
Voltaje de memoria: 1.5 V
Configuración de módulos: 512M X 64
Tiempo de ciclo de fila: 48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila: 260 ns
Tiempo activo en fila: 35 ns
País de origen: Taiwán
Placa de plomo: Oro
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
Ancho: 67,6 mm
Altura: 30 mm
Tipo de embalaje: SO-DIMM
Código de Sistema de Armomización (SA): 84733020
Organización de los chips: X8
Velocidad del reloj de bus: 1600 MHz
Indicación de error: No
Disposición de memoria: 1 x 4096 MB
Memoria interna: 4096 MB

Marca Kingston

P/N: KVR16S11S8/4

En stock en nuestro almacén: 5 Productos

Detalles del producto

Voltaje de memoria: 1.5 V
Voltaje: 1.5 V
Velocidad del reloj de bus: 1600 MHz
Velocidad de memoria del reloj: 1600 MHz
Velocidad: 1600 Mhz
Tipo de memoria interna: DDR3
Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
Tipo de Memoria: Memoria DDR3
Tipo de embalaje: SO-DIMM
Tiempo de ciclo de fila: 48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila: 260 ns
Tiempo activo en fila: 35 ns
Producto clasificado por el fabricante: Módulos de memoria
Placa de plomo: Oro
País de origen: Taiwán
Organización de los chips: X8
Memoría RAM: 4 GB RAM
Latencia CAS: CL11
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
Indicación de error: No
Formato Memoria: SODIMM
Forma de factor de memoria: 204-pin SO-DIMM
ECC: No
Disposición de memoria: 1 x 4096 MB
Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
Configuración de módulos: 512M x 64
Componente para: Portátil
Código de Sistema de Armomización (SA): 84733020
Clasificación de memoria: 1
Cantidad: 1
Ancho de datos: 64 bit
Ancho: 67,6 mm
Altura: 30 mm
Memoria interna: 4 GB

ean13: 0740617207781

Estado del producto Nuevo

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